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Circuito integrado IC de componentes eletrônicos de cristal longo IC dos componentes eletrônicos do transistor NMOS do efeito de campo de CJ2312 S12 SOT23
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2312 S12
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
20V
Corrente de drenagem (Id)
5A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
-mΩ
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 8V
Carga do Portão (Qg)
Detailed reference specification
Tempo de recuperação reversa
Detailed reference specification
Dissipação máxima de energia
Detailed reference specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
0 ℃ ~ 125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2312 S12
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
20V
Corrente de drenagem (Id)
5A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
-mΩ
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 8V
Carga do Portão (Qg)
Detailed reference specification
Tempo de recuperação reversa
Detailed reference specification
Dissipação máxima de energia
Detailed reference specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
0 ℃ ~ 125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ2312 S12
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
20V
Corrente de drenagem (Id)
5A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
-mΩ
Tensão porta-fonte (Vgs)
± 8V
Carga do Portão (Qg)
Detailed reference specification
Tempo de recuperação reversa
Detailed reference specification
Dissipação máxima de energia
Detailed reference specification
Tipo de configuração
NMOS field effect transistor
Faixa de temperatura operacional
0 ℃ ~ 125 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
Atualização de prazos
Frete marítimo, 125 dias