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Transistor de efeito de campo MOSFET 60V/195A, plug direto TO220, canal N, novo, original
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFB7534PBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
195A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.4mΩ@10V,100A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.7V@250uA
Carga do Portão (Qg)
279nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFB7534PBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
195A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.4mΩ@10V,100A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.7V@250uA
Carga do Portão (Qg)
279nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFB7534PBF
Encapsulamento
TO220
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
195A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
2.4mΩ@10V,100A
Tensão porta-fonte (Vgs)
3.7V@250uA
Carga do Portão (Qg)
279nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro