O texto nas imagens pode ser traduzido
Chip de tubo MOSFET IRFR3607TRPBF TO-252-3 canal n 75V/56A original novo
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR3607TRPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
75V
Corrente de drenagem (Id)
65A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
9mΩ @ 10V,46A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 100uA
Carga do Portão (Qg)
84nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
140000
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR3607TRPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
75V
Corrente de drenagem (Id)
65A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
9mΩ @ 10V,46A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 100uA
Carga do Portão (Qg)
84nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
140000
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR3607TRPBF
Encapsulamento
TO-252
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
75V
Corrente de drenagem (Id)
65A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
9mΩ @ 10V,46A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 100uA
Carga do Portão (Qg)
84nC @ 10V
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
140000
Tipo de configuração
Refer to PDF
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido
Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro