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MOS original brandnew do N-canal de AO3400A SOT-23 30V/5.8A de UMW (transistor de efeito de campo) lasca
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Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
AO3400A
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
5.8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
35mΩ @ 10V,5.8A
Tensão porta-fonte (Vgs)
1.4V@250uA
Carga do Portão (Qg)
12nC@4.5V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
AO3400A
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
5.8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
35mΩ @ 10V,5.8A
Tensão porta-fonte (Vgs)
1.4V@250uA
Carga do Portão (Qg)
12nC@4.5V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
AO3400A
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
5.8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
35mΩ @ 10V,5.8A
Tensão porta-fonte (Vgs)
1.4V@250uA
Carga do Portão (Qg)
12nC@4.5V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
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Security equipment
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