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Transistor original brandnew do efeito de campo BSC093N15NS5 do MOSFET da N-canaleta 87A/150V TDSON-8 TDSON-8
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
Shunbaijia
Modelo
BSC093N15NS5
Encapsulamento
TDSON-8
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150V
Corrente de drenagem (Id)
87A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
9.3mΩ@10V,44A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4.6V@107uA
Carga do Portão (Qg)
Refer to PDF
Tempo de recuperação reversa
Refer to PDF
Dissipação máxima de energia
139000
Faixa de temperatura operacional
-55 C+ 150 C
Tipo de instalação
Refer to PDF
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
BSC093N15NS5
Encapsulamento
TDSON-8
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150V
Corrente de drenagem (Id)
87A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
9.3mΩ@10V,44A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4.6V@107uA
Carga do Portão (Qg)
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Tempo de recuperação reversa
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Dissipação máxima de energia
139000
Faixa de temperatura operacional
-55 C+ 150 C
Tipo de instalação
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Campo de aplicação
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
BSC093N15NS5
Encapsulamento
TDSON-8
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
150V
Corrente de drenagem (Id)
87A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
9.3mΩ@10V,44A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4.6V@107uA
Carga do Portão (Qg)
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Tempo de recuperação reversa
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Dissipação máxima de energia
139000
Faixa de temperatura operacional
-55 C+ 150 C
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Security equipment
Detalhes do produto
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Entrega
ICMS
PIS e COFINS
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