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Transistor original brandnew do efeito de campo do canal 5A/60V MOS do canal 5A/60V do pacote NCE6005AR do remendo SOT-223 N
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Especificações do produto
Marca
NCE6005AR
Modelo
NCE6005AR
Encapsulamento
SOT-223
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
5A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
35mΩ@4.5V,5A
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
NCE6005AR
Modelo
NCE6005AR
Encapsulamento
SOT-223
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
5A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
35mΩ@4.5V,5A
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
Standard
Tipo de configuração
Standard
Faixa de temperatura operacional
Standard
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Security equipment
Marca
NCE6005AR
Modelo
NCE6005AR
Encapsulamento
SOT-223
Número do lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
60V
Corrente de drenagem (Id)
5A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
35mΩ@4.5V,5A
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.5V@250uA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
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Standard
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