O texto nas imagens pode ser traduzido
Transistor de efeito de campo MOS de potência de canal N NCE65T1K2K 650 V 4 A plugue direto TO-252 novo original
R$ 1,10
899 – 8.987 un.
R$ 0,78
8.988+ un.
Preço preliminar por unidade incluindo frete para o Brasil
Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T1K2K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
4A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.1 Ω @ 10V,2A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Dissipação máxima de energia
41W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
N channel
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T1K2K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
4A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.1 Ω @ 10V,2A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Dissipação máxima de energia
41W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
N channel
Marca
New clean energy
Modelo
NCE65T1K2K
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
650V
Corrente de drenagem (Id)
4A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.1 Ω @ 10V,2A
Tensão porta-fonte (Vgs)
4v @ 250% A
Dissipação máxima de energia
41W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
N channel
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido
Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
Produtos similares
