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Transistor de efeito de campo MOS 220A/30V N canal TPHR9003NL TOSHIBA QFN8 novo original
Preço por unidade incluindo frete para o Brasil
Variantes
QFN8
Especificações do produto
Marca
chip can
Modelo
TPHR9003NL
Encapsulamento
QFN8
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
N channel
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
PDF
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30 V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.1 mOhms
Dissipação máxima de energia
1.6W(Ta),78W(Tc)
Faixa de temperatura operacional
150°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances
Marca
chip can
Modelo
TPHR9003NL
Encapsulamento
QFN8
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
N channel
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
PDF
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30 V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.1 mOhms
Dissipação máxima de energia
1.6W(Ta),78W(Tc)
Faixa de temperatura operacional
150°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances
Marca
chip can
Modelo
TPHR9003NL
Encapsulamento
QFN8
Número do lote
New batch
Tipo de transistor
N channel
Tensão de ruptura coletor-emissor (VCEO)
PDF
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30 V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
1.1 mOhms
Dissipação máxima de energia
1.6W(Ta),78W(Tc)
Faixa de temperatura operacional
150°C(TJ)
Tipo de instalação
Surface mount type
Campo de aplicação
Household appliances
Detalhes do produto
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Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro
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