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NCE3404 N-channel potência MOS efeito de campo transistor 30v 5.8A patch SOT-23 novo original
R$ 0,99
4.236 – 42.353 un.
R$ 0,39
42.354+ un.
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
New clean energy
Modelo
NCE3404
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
5.8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
31mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.4V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
1.4W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE3404
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
5.8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
31mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.4V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
1.4W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Marca
New clean energy
Modelo
NCE3404
Encapsulamento
SOT-23
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
30V
Corrente de drenagem (Id)
5.8A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
31mohm
Tensão porta-fonte (Vgs)
2.4V
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
1.4W
Tipo de configuração
N channel
Faixa de temperatura operacional
-55 ℃ ~ +150 ℃
Tipo de instalação
Patch
Detalhes do produto
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