LBSS8402DW1T1G transistor de efeito de campo de canal N/P 50V 130mA patch SC-88 silk screen 402
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Quantidade
Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
LRC (Leshan Radio)
Modelo
LBSS8402DW1T1G
Encapsulamento
SC-88
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N/P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
50V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
1.5V@1mA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
380
Tipo de configuração
N/P channel
Faixa de temperatura operacional
-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de instalação
Patch
Marca
LRC (Leshan Radio)
Modelo
LBSS8402DW1T1G
Encapsulamento
SC-88
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N/P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
50V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
1.5V@1mA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
380
Tipo de configuração
N/P channel
Faixa de temperatura operacional
-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de instalação
Patch
Marca
LRC (Leshan Radio)
Modelo
LBSS8402DW1T1G
Encapsulamento
SC-88
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
N/P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
50V
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
Standard
Tensão porta-fonte (Vgs)
1.5V@1mA
Carga do Portão (Qg)
Standard
Tempo de recuperação reversa
Standard
Dissipação máxima de energia
380
Tipo de configuração
N/P channel
Faixa de temperatura operacional
-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de instalação
Patch
Detalhes do produto
O texto nas imagens pode ser traduzido

LBSS8402DW1T1G_01

LBSS8402DW1T1G_02

LBSS8402DW1T1G_03

LBSS8402DW1T1G_04

LBSS8402DW1T1G_05

LBSS8402DW1T1G_06

LBSS8402DW1T1G_07

LBSS8402DW1T1G_08

Total
Entrega
ICMS
PIS e COFINS
Outro