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Tubo MOS de parche LRC Leshan LP2301LT1G SOT23 serigrafía 01 Tubo p de efecto de campo
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
LRC Wireless
Modelo
LP2301LT1G
Encapsulación
SOT23
Número de lote
22
Tipo de transistor
P tube
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
20
Corriente de drenaje (Id)
2.3
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
100mR
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
8V
Carga de puerta (Qg)
1
Tiempo de recuperación inversa
1
Disipación máxima de potencia
140
Tipo de configuración
1
Rango de temperatura de funcionamiento
-55-150
Tipo de instalación
Patch
Marca
LRC Wireless
Modelo
LP2301LT1G
Encapsulación
SOT23
Número de lote
22
Tipo de transistor
P tube
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
20
Corriente de drenaje (Id)
2.3
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
100mR
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
8V
Carga de puerta (Qg)
1
Tiempo de recuperación inversa
1
Disipación máxima de potencia
140
Tipo de configuración
1
Rango de temperatura de funcionamiento
-55-150
Tipo de instalación
Patch
Marca
LRC Wireless
Modelo
LP2301LT1G
Encapsulación
SOT23
Número de lote
22
Tipo de transistor
P tube
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
20
Corriente de drenaje (Id)
2.3
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
100mR
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
8V
Carga de puerta (Qg)
1
Tiempo de recuperación inversa
1
Disipación máxima de potencia
140
Tipo de configuración
1
Rango de temperatura de funcionamiento
-55-150
Tipo de instalación
Patch
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro