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Transistor de efeito de campo IRFP9240PBF pacote TO-247 componentes eletrônicos canal P 200V 12A novo original
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Produto selecionado
Especificações do produto
Marca
chip can
Modelo
IRFP9240PBF
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
200V
Corrente de drenagem (Id)
12A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
500 milliohm @ 7.2A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
2v
Carga do Portão (Qg)
44 nC @ 10 V
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
150
Tipo de configuração
Single
Faixa de temperatura operacional
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
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Marca
chip can
Modelo
IRFP9240PBF
Encapsulamento
TO-247
Número do lote
New Year
Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
200V
Corrente de drenagem (Id)
12A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
500 milliohm @ 7.2A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
2v
Carga do Portão (Qg)
44 nC @ 10 V
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
150
Tipo de configuração
Single
Faixa de temperatura operacional
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalação
Through Hole
Campo de aplicação
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Modelo
IRFP9240PBF
Encapsulamento
TO-247
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Tipo de transistor
P channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)
200V
Corrente de drenagem (Id)
12A
Resistência de condução da fonte de drenagem (RDS ligado)
500 milliohm @ 7.2A,10V
Tensão porta-fonte (Vgs)
2v
Carga do Portão (Qg)
44 nC @ 10 V
Tempo de recuperação reversa
1
Dissipação máxima de energia
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Tipo de configuração
Single
Faixa de temperatura operacional
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo de instalação
Through Hole
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