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Circuito integrado de componentes electrónicos NMOS de transistor de efecto de campo SOT-23 de cristal largo CJ3400 R0
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ3400 R0
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
5.8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
29 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 12V
Carga de puerta (Qg)
Reference Specification
Tiempo de recuperación inversa
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
Reference Specification
Tipo de configuración
NMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ3400 R0
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
5.8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
29 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 12V
Carga de puerta (Qg)
Reference Specification
Tiempo de recuperación inversa
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
Reference Specification
Tipo de configuración
NMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
CJ3400 R0
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
NMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
30V
Corriente de drenaje (Id)
5.8A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
29 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 12V
Carga de puerta (Qg)
Reference Specification
Tiempo de recuperación inversa
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
Reference Specification
Tipo de configuración
NMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ +125 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
Entrega marítima, 90 días