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Punto especial MMBT TMBT3904 serigrafía parche 1am transistor triodo de amplificación PNP SOT-23
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Variaciones
SOT-23
Especificaciones del producto
Marca
Produced in Taiwan
Modelo
PMBT3904
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
18
Tipo de transistor
NPN
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
50V
Corriente máxima del colector (Icm)
150mA
Tensión de saturación colector-emisor
0.2-0.3
Factor de amplificación de corriente (hFE)
300
Frecuencia característica
100-300
Disipación máxima de potencia
320
Rango de temperatura de funcionamiento
-55~+150
Tipo de instalación
Patch
Forma de encapsulación
SOT-23
Método de Inserción
Patch
Ámbito de aplicación
Zoom in
Marca
Produced in Taiwan
Modelo
PMBT3904
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
18
Tipo de transistor
NPN
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
50V
Corriente máxima del colector (Icm)
150mA
Tensión de saturación colector-emisor
0.2-0.3
Factor de amplificación de corriente (hFE)
300
Frecuencia característica
100-300
Disipación máxima de potencia
320
Rango de temperatura de funcionamiento
-55~+150
Tipo de instalación
Patch
Forma de encapsulación
SOT-23
Método de Inserción
Patch
Ámbito de aplicación
Zoom in
Marca
Produced in Taiwan
Modelo
PMBT3904
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
18
Tipo de transistor
NPN
Tensión de ruptura colector-emisor (VCEO)
50V
Corriente máxima del colector (Icm)
150mA
Tensión de saturación colector-emisor
0.2-0.3
Factor de amplificación de corriente (hFE)
300
Frecuencia característica
100-300
Disipación máxima de potencia
320
Rango de temperatura de funcionamiento
-55~+150
Tipo de instalación
Patch
Forma de encapsulación
SOT-23
Método de Inserción
Patch
Ámbito de aplicación
Zoom in
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
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