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Circuito integrado de componentes electrónicos PMOS de triodo de efecto de campo CJ205 S5 SOT-23 de cristal largo
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Changjing technology
Modelo
Cj205 S5
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
PMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
-12V
Corriente de drenaje (Id)
-4.1A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
30 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 8V
Carga de puerta (Qg)
Reference Specification
Tiempo de recuperación inversa
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
Reference Specification
Tipo de configuración
PMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
0 ℃ ~ 115 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
Cj205 S5
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
PMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
-12V
Corriente de drenaje (Id)
-4.1A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
30 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 8V
Carga de puerta (Qg)
Reference Specification
Tiempo de recuperación inversa
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
Reference Specification
Tipo de configuración
PMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
0 ℃ ~ 115 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Marca
Changjing technology
Modelo
Cj205 S5
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
Latest year
Tipo de transistor
PMOS
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
-12V
Corriente de drenaje (Id)
-4.1A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
30 Mohm
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
± 8V
Carga de puerta (Qg)
Reference Specification
Tiempo de recuperación inversa
Reference Specification
Disipación máxima de potencia
Reference Specification
Tipo de configuración
PMOS field effect transistor
Rango de temperatura de funcionamiento
0 ℃ ~ 115 ℃
Tipo de instalación
Surface mount type
Campo de aplicación
New energy, Household appliances, 3C digital, Automotive Electronics, Measuring instrument, Smart Home, Networ...
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
Entrega marítima, 90 días