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Tubo de efecto de campo MOS IPD082N10N3G 082N10N, nuevo y original, con parche TO-252, 100 V/80 A
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IPD082N10N3G
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
80A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
8.2mΩ@10V,73A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3.5V@75uA
Carga de puerta (Qg)
Other
Tiempo de recuperación inversa
Other
Disipación máxima de potencia
125
Tipo de configuración
Other
Rango de temperatura de funcionamiento
Other
Tipo de instalación
Other
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IPD082N10N3G
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
80A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
8.2mΩ@10V,73A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3.5V@75uA
Carga de puerta (Qg)
Other
Tiempo de recuperación inversa
Other
Disipación máxima de potencia
125
Tipo de configuración
Other
Rango de temperatura de funcionamiento
Other
Tipo de instalación
Other
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IPD082N10N3G
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New batch in new year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje (Id)
80A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
8.2mΩ@10V,73A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
3.5V@75uA
Carga de puerta (Qg)
Other
Tiempo de recuperación inversa
Other
Disipación máxima de potencia
125
Tipo de configuración
Other
Rango de temperatura de funcionamiento
Other
Tipo de instalación
Other
Campo de aplicación
Security equipment
Detalles del producto
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Total
Entrega
IVA
Otro
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