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Transistor de efecto de campo MOSFET IRFR4615TRLPBF TO-252 de canal N, 150 V/33 A, nuevo y original
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR4615TRLPBF
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
150V
Corriente de drenaje (Id)
33A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
42mΩ @ 10V,21A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
5v @ 100uA
Carga de puerta (Qg)
26nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
Refer to PDF
Disipación máxima de potencia
144000
Tipo de configuración
Refer to PDF
Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
Refer to PDF
Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR4615TRLPBF
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
150V
Corriente de drenaje (Id)
33A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
42mΩ @ 10V,21A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
5v @ 100uA
Carga de puerta (Qg)
26nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
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Disipación máxima de potencia
144000
Tipo de configuración
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Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
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Campo de aplicación
Security equipment
Marca
Shunbaijia
Modelo
IRFR4615TRLPBF
Encapsulación
TO-252
Número de lote
New Year
Tipo de transistor
N channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
150V
Corriente de drenaje (Id)
33A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
42mΩ @ 10V,21A
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
5v @ 100uA
Carga de puerta (Qg)
26nC @ 10V
Tiempo de recuperación inversa
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Disipación máxima de potencia
144000
Tipo de configuración
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Rango de temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ +175 ℃
Tipo de instalación
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Campo de aplicación
Security equipment
Detalles del producto
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Entrega
IVA
Otro
Entrega marítima, 90 días