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Transistor de efecto de campo de parche LRC Leshan, tubo MOS LP3443LT1G, pantalla de seda SOT-23, canal P34
Precio por pieza incluyendo entrega a México
Cantidad
Producto seleccionado
Especificaciones del producto
Marca
LRC
Modelo
LP3443LT1G
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
2022
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
-20v
Corriente de drenaje (Id)
-4.7A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
58mR
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
-0.85
Carga de puerta (Qg)
20
Disipación máxima de potencia
207
Tipo de configuración
Patch
Rango de temperatura de funcionamiento
-55-155
Tipo de instalación
Patch
Amable
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LRC
Modelo
LP3443LT1G
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
2022
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
-20v
Corriente de drenaje (Id)
-4.7A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
58mR
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
-0.85
Carga de puerta (Qg)
20
Disipación máxima de potencia
207
Tipo de configuración
Patch
Rango de temperatura de funcionamiento
-55-155
Tipo de instalación
Patch
Amable
Insulated Gate (MOSFETs)
Marca
LRC
Modelo
LP3443LT1G
Encapsulación
SOT-23
Número de lote
2022
Tipo de transistor
P channel
Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
-20v
Corriente de drenaje (Id)
-4.7A
Resistencia de conducción drenaje-fuente (RDS activado)
58mR
Voltaje de puerta-fuente (Vgs)
-0.85
Carga de puerta (Qg)
20
Disipación máxima de potencia
207
Tipo de configuración
Patch
Rango de temperatura de funcionamiento
-55-155
Tipo de instalación
Patch
Amable
Insulated Gate (MOSFETs)
Detalles del producto
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